潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝對(dui)(dui)溫(wen)(wen)度(du)的(de)(de)(de)要(yao)(yao)求以(yi)(yi)后還要(yao)(yao)列舉，但(dan)作(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)原則(ze)看，由(you)于(yu)加工精度(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細(xi)，所(suo)以(yi)(yi)對(dui)(dui)溫(wen)(wen)度(du)波動范(fan)圍的(de)(de)(de)要(yao)(yao)求越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。例如(ru)在(zai)大(da)(da)規模集成電路生產(chan)的(de)(de)(de)光刻曝光工藝中，作(zuo)為(wei)掩膜板材料的(de)(de)(de)玻璃與硅片的(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)(de)硅片，溫(wen)(wen)度(du)上升1度(du)，就引起(qi)了0.24um線性(xing)膨(peng)脹，所(suo)以(yi)(yi)必須有(you)(you)±0.1度(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)(tong)時(shi)(shi)要(yao)(yao)求濕度(du)值一般(ban)較低，因為(wei)人(ren)出汗(han)以(yi)(yi)后，對(dui)(dui)產(chan)品將有(you)(you)污染(ran)，特(te)別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體車(che)間，這(zhe)種車(che)間溫(wen)(wen)度(du)不宜超(chao)(chao)過25度(du)，濕度(du)過高(gao)產(chan)生的(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)超(chao)(chao)過55%時(shi)(shi)，冷(leng)卻水管(guan)壁上會結露，如(ru)果發(fa)生在(zai)精密裝(zhuang)置或電路中，就會引起(qi)各種事(shi)故(gu)。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易(yi)生銹。此外，濕度(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通(tong)過空氣中的(de)(de)(de)水分子(zi)把(ba)硅片表面粘著的(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在(zai)表面難以(yi)(yi)清(qing)除。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)越(yue)高(gao),粘附(fu)的(de)(de)(de)越(yue)難去掉，但(dan)當相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)，又由(you)于(yu)靜電力的(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子(zi)也容易(yi)吸附(fu)于(yu)表面，同(tong)(tong)時(shi)(shi)大(da)(da)量半導體器件容易(yi)發(fa)生擊穿。對(dui)(dui)于(yu)硅片生產(chan)濕度(du)范(fan)圍為(wei)35—45%。