潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求以后(hou)還要(yao)列(lie)舉，但作為總(zong)的(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)(yu)加工精度(du)(du)(du)越來(lai)(lai)越精細，所以對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)波(bo)動范(fan)圍的(de)(de)(de)(de)要(yao)求越來(lai)(lai)越小。例如在大(da)規模(mo)集成電路生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中(zhong)，作為掩膜(mo)板材料的(de)(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)(gui)片(pian)的(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)(de)差(cha)要(yao)求越來(lai)(lai)越小。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)上(shang)(shang)升1度(du)(du)(du)，就引(yin)起(qi)了0.24um線性(xing)膨脹，所以必須(xu)有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)(shi)要(yao)求濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一般較低，因為人(ren)出汗以后(hou)，對(dui)(dui)產(chan)(chan)品將(jiang)有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體車間，這種(zhong)(zhong)車間溫(wen)度(du)(du)(du)不宜超(chao)過(guo)25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過(guo)高產(chan)(chan)生的(de)(de)(de)(de)問題更多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過(guo)55%時(shi)(shi)，冷(leng)卻(que)水管壁上(shang)(shang)會(hui)結(jie)露，如果發(fa)生在精密裝(zhuang)置(zhi)或電路中(zhong)，就會(hui)引(yin)起(qi)各種(zhong)(zhong)事故。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)易生銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太(tai)高時(shi)(shi)將(jiang)通過(guo)空(kong)氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)水分子把(ba)硅(gui)(gui)片(pian)表面(mian)粘著的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附在表面(mian)難以清除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越高,粘附的(de)(de)(de)(de)越難去掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)(yu)30%時(shi)(shi)，又由于(yu)(yu)靜電力的(de)(de)(de)(de)作用使(shi)粒子也容(rong)易吸附于(yu)(yu)表面(mian)，同時(shi)(shi)大(da)量半導體器件容(rong)易發(fa)生擊(ji)穿。對(dui)(dui)于(yu)(yu)硅(gui)(gui)片(pian)生產(chan)(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍為35—45%。