潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝(yi)(yi)對溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求以(yi)后(hou)還要(yao)(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為總(zong)的(de)(de)(de)(de)原則看(kan)，由于(yu)(yu)(yu)加工精度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)精細，所以(yi)對溫(wen)度(du)(du)(du)波(bo)動范(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。例如在(zai)大規模(mo)集成電路生(sheng)(sheng)產的(de)(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝(yi)(yi)中，作(zuo)為掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)玻(bo)璃(li)與硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)硅(gui)片，溫(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引起了(le)0.24um線性膨脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)要(yao)(yao)求濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一(yi)般(ban)較低(di)，因為人(ren)出汗以(yi)后(hou)，對產品將有污染(ran)，特別(bie)是怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體車(che)間(jian)，這種車(che)間(jian)溫(wen)度(du)(du)(du)不宜超(chao)過(guo)25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)過(guo)高產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題更多。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過(guo)55%時(shi)，冷(leng)卻水管壁上會(hui)結露，如果發生(sheng)(sheng)在(zai)精密裝(zhuang)置或電路中，就會(hui)引起各種事故。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)易生(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高時(shi)將通過(guo)空氣中的(de)(de)(de)(de)水分子把硅(gui)片表(biao)面粘著(zhu)的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在(zai)表(biao)面難以(yi)清(qing)除(chu)。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高,粘附(fu)的(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)(yue)難去掉，但當(dang)相對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)低(di)于(yu)(yu)(yu)30%時(shi)，又由于(yu)(yu)(yu)靜電力(li)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容(rong)易吸附(fu)于(yu)(yu)(yu)表(biao)面，同時(shi)大量半導體器(qi)件容(rong)易發生(sheng)(sheng)擊穿。對于(yu)(yu)(yu)硅(gui)片生(sheng)(sheng)產濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍(wei)為35—45%。