潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對(dui)溫度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)求以(yi)后還要(yao)(yao)(yao)列舉，但(dan)作為(wei)總的(de)(de)(de)原則看(kan)，由于(yu)(yu)(yu)加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)越(yue)來越(yue)精(jing)細，所以(yi)對(dui)溫度(du)(du)(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)要(yao)(yao)(yao)求越(yue)來越(yue)小。例如在大(da)規(gui)模集(ji)成電(dian)路生(sheng)產(chan)(chan)的(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中，作為(wei)掩(yan)膜板材料的(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)的(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)(peng)脹系數的(de)(de)(de)差要(yao)(yao)(yao)求越(yue)來越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)硅片(pian)，溫度(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)，就(jiu)(jiu)引起了0.24um線(xian)性膨(peng)(peng)脹，所以(yi)必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒(heng)溫，同(tong)時要(yao)(yao)(yao)求濕(shi)度(du)(du)(du)(du)值一般較低(di)，因為(wei)人出(chu)汗以(yi)后，對(dui)產(chan)(chan)品將有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這種車(che)間溫度(du)(du)(du)(du)不宜超(chao)過(guo)(guo)25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)過(guo)(guo)高(gao)產(chan)(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)問題更(geng)多。相(xiang)對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)超(chao)過(guo)(guo)55%時，冷(leng)卻(que)水(shui)管壁上會結露，如果發生(sheng)在精(jing)密裝置或電(dian)路中，就(jiu)(jiu)會引起各種事故。相(xiang)對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)在50%時易(yi)生(sheng)銹。此外，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)太(tai)高(gao)時將通過(guo)(guo)空氣(qi)中的(de)(de)(de)水(shui)分子(zi)把硅片(pian)表(biao)面(mian)粘著的(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)附(fu)在表(biao)面(mian)難(nan)以(yi)清除。相(xiang)對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)高(gao),粘附(fu)的(de)(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相(xiang)對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)低(di)于(yu)(yu)(yu)30%時，又由于(yu)(yu)(yu)靜(jing)電(dian)力的(de)(de)(de)作用使粒子(zi)也容易(yi)吸(xi)附(fu)于(yu)(yu)(yu)表(biao)面(mian)，同(tong)時大(da)量半導體(ti)器件容易(yi)發生(sheng)擊穿。對(dui)于(yu)(yu)(yu)硅片(pian)生(sheng)產(chan)(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)35—45%。