潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝對(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以(yi)后還(huan)要(yao)列舉，但作為總的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)則看(kan)，由于加工精度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精細，所(suo)以(yi)對(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)(du)(du)波動范(fan)(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例如(ru)在(zai)(zai)大規模集成電路生(sheng)(sheng)(sheng)產的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中(zhong)，作為掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與(yu)硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)片，溫度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線(xian)性(xing)膨脹，所(suo)以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫，同時(shi)(shi)(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一般較低(di)，因為人(ren)出汗以(yi)后，對(dui)(dui)產品將有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體車間，這種(zhong)車間溫度(du)(du)(du)(du)(du)不(bu)宜超(chao)過25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過高產生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題(ti)更多。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超(chao)過55%時(shi)(shi)(shi)，冷卻水(shui)管壁上會結(jie)露，如(ru)果(guo)發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)(zai)精密裝置或電路中(zhong)，就會引起(qi)各(ge)種(zhong)事故。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)(zai)50%時(shi)(shi)(shi)易生(sheng)(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)(shi)(shi)將通(tong)過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水(shui)分(fen)子(zi)把(ba)硅(gui)片表(biao)面(mian)(mian)粘著的(de)(de)(de)(de)(de)灰(hui)塵化學吸(xi)(xi)附在(zai)(zai)表(biao)面(mian)(mian)難以(yi)清除。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高,粘附的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但當相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低(di)于30%時(shi)(shi)(shi)，又由于靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)作用使粒子(zi)也容(rong)易吸(xi)(xi)附于表(biao)面(mian)(mian)，同時(shi)(shi)(shi)大量半導體器件容(rong)易發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)擊穿。對(dui)(dui)于硅(gui)片生(sheng)(sheng)(sheng)產濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范(fan)(fan)圍(wei)為35—45%。