潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝(yi)對溫(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以(yi)后還(huan)要(yao)列(lie)舉，但作(zuo)(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)(yu)(yu)加工精度(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精細(xi)，所以(yi)對溫(wen)(wen)度(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例(li)如(ru)在(zai)大規模集成電路生(sheng)產的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中(zhong)，作(zuo)(zuo)為(wei)掩(yan)膜板材料的(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)(de)(de)差(cha)要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)上升1度(du)(du)，就(jiu)引起了0.24um線性(xing)膨(peng)脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)時(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)值一般較低，因為(wei)人(ren)出汗(han)以(yi)后，對產品(pin)將(jiang)有污染(ran)，特別是(shi)怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體車(che)間，這種車(che)間溫(wen)(wen)度(du)(du)不(bu)宜(yi)超(chao)過25度(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)過高(gao)(gao)產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題(ti)更多。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)超(chao)過55%時(shi)，冷卻水管壁上會結露，如(ru)果(guo)發生(sheng)在(zai)精密裝(zhuang)置或電路中(zhong)，就(jiu)會引起各種事故。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)在(zai)50%時(shi)易(yi)生(sheng)銹。此外(wai)，濕(shi)度(du)(du)太高(gao)(gao)時(shi)將(jiang)通過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)水分子把硅片(pian)(pian)表(biao)面(mian)粘(zhan)(zhan)著的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)(xi)附(fu)(fu)在(zai)表(biao)面(mian)難以(yi)清除。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)高(gao)(gao),粘(zhan)(zhan)附(fu)(fu)的(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難去(qu)掉，但當(dang)相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)低于(yu)(yu)(yu)30%時(shi)，又由于(yu)(yu)(yu)靜電力(li)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用使粒子也(ye)容易(yi)吸(xi)(xi)附(fu)(fu)于(yu)(yu)(yu)表(biao)面(mian)，同(tong)時(shi)大量半導體器件容易(yi)發生(sheng)擊穿。對于(yu)(yu)(yu)硅片(pian)(pian)生(sheng)產濕(shi)度(du)(du)范圍為(wei)35—45%。