潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工(gong)藝(yi)對溫(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)以后(hou)還要(yao)(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)加工(gong)精度(du)(du)越來越精細(xi)，所(suo)以對溫(wen)(wen)度(du)(du)波動范(fan)圍的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)越來越小(xiao)。例如(ru)在大規模集成電(dian)路生(sheng)產的(de)(de)(de)(de)光刻曝(pu)光工(gong)藝(yi)中(zhong)，作(zuo)為(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)玻璃(li)與硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)(de)(de)差(cha)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)越來越小(xiao)。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)硅(gui)片，溫(wen)(wen)度(du)(du)上升(sheng)1度(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所(suo)以必須有±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同時(shi)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低，因為(wei)人(ren)出汗以后(hou)，對產品將(jiang)有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體車間，這(zhe)種車間溫(wen)(wen)度(du)(du)不宜超(chao)過25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過高(gao)產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超(chao)過55%時(shi)，冷卻(que)水管壁上會結露，如(ru)果(guo)發(fa)生(sheng)在精密裝(zhuang)置或(huo)電(dian)路中(zhong)，就會引起(qi)各種事(shi)故(gu)。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在50%時(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太(tai)高(gao)時(shi)將(jiang)通過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)水分子把硅(gui)片表面粘著(zhu)的(de)(de)(de)(de)灰(hui)塵化(hua)學吸附(fu)(fu)在表面難(nan)以清除。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越高(gao),粘附(fu)(fu)的(de)(de)(de)(de)越難(nan)去掉，但當(dang)相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低于(yu)30%時(shi)，又由于(yu)靜(jing)電(dian)力(li)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容易吸附(fu)(fu)于(yu)表面，同時(shi)大量半導體器件容易發(fa)生(sheng)擊穿(chuan)。對于(yu)硅(gui)片生(sheng)產濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范(fan)圍為(wei)35—45%。