潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)以(yi)(yi)后(hou)還要(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為(wei)(wei)總的(de)(de)原則看，由于(yu)加工精度(du)(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精細，所(suo)以(yi)(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)波動范圍(wei)的(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小(xiao)。例如(ru)在(zai)大(da)規模集成電(dian)路(lu)(lu)生(sheng)產的(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)曝光(guang)(guang)工藝中(zhong)(zhong)，作(zuo)為(wei)(wei)掩膜板(ban)材料的(de)(de)玻璃與(yu)硅片(pian)(pian)的(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)差要(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨脹，所(suo)以(yi)(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)(tong)時要(yao)求(qiu)(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一(yi)般較低，因為(wei)(wei)人出汗(han)以(yi)(yi)后(hou)，對(dui)(dui)產品將有污染，特別是怕鈉(na)的(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這(zhe)種車(che)間溫(wen)度(du)(du)(du)不宜超(chao)過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高產生(sheng)的(de)(de)問(wen)題(ti)更多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過55%時，冷卻水管壁上(shang)會(hui)結露，如(ru)果發生(sheng)在(zai)精密裝置(zhi)或電(dian)路(lu)(lu)中(zhong)(zhong)，就會(hui)引起(qi)各種事故(gu)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在(zai)50%時易生(sheng)銹。此外(wai)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高時將通過空氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)水分(fen)子把硅片(pian)(pian)表(biao)面(mian)粘著的(de)(de)灰(hui)塵化學吸附(fu)在(zai)表(biao)面(mian)難以(yi)(yi)清除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)高,粘附(fu)的(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)30%時，又由于(yu)靜(jing)電(dian)力的(de)(de)作(zuo)用(yong)使粒子也容(rong)易吸附(fu)于(yu)表(biao)面(mian)，同(tong)(tong)時大(da)量半導體(ti)器件容(rong)易發生(sheng)擊穿。對(dui)(dui)于(yu)硅片(pian)(pian)生(sheng)產濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范圍(wei)為(wei)(wei)35—45%。