潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)以(yi)后還要(yao)(yao)列舉，但(dan)作為(wei)總的(de)(de)原則看，由于加(jia)工精度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)來越(yue)精細，所(suo)(suo)以(yi)對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動范(fan)圍的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來越(yue)小。例(li)如在大規(gui)模集成電路生(sheng)(sheng)產的(de)(de)光刻曝光工藝中(zhong)，作為(wei)掩膜板(ban)材(cai)料的(de)(de)玻璃與硅片的(de)(de)熱膨(peng)脹系(xi)數的(de)(de)差要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)硅片，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就(jiu)引(yin)(yin)起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所(suo)(suo)以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)(tong)時(shi)(shi)(shi)(shi)要(yao)(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一(yi)般較低(di)，因為(wei)人出汗(han)以(yi)后，對(dui)產品將有污染，特(te)別(bie)是怕鈉的(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這(zhe)種(zhong)車(che)間溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不宜超過(guo)(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)(guo)高產生(sheng)(sheng)的(de)(de)問(wen)題更多。相對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)(guo)55%時(shi)(shi)(shi)(shi)，冷(leng)卻水管壁上會結露，如果發生(sheng)(sheng)在精密裝置或電路中(zhong)，就(jiu)會引(yin)(yin)起(qi)各(ge)種(zhong)事(shi)故。相對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)(shi)(shi)易(yi)生(sheng)(sheng)銹(xiu)。此外(wai)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)(shi)(shi)(shi)將通(tong)過(guo)(guo)空氣中(zhong)的(de)(de)水分子(zi)把硅片表(biao)面粘(zhan)著的(de)(de)灰塵化學吸(xi)附在表(biao)面難(nan)以(yi)清除。相對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)高,粘(zhan)附的(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相對(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低(di)于30%時(shi)(shi)(shi)(shi)，又由于靜電力的(de)(de)作用使粒子(zi)也容(rong)易(yi)吸(xi)附于表(biao)面，同(tong)(tong)時(shi)(shi)(shi)(shi)大量(liang)半導體(ti)器(qi)件容(rong)易(yi)發生(sheng)(sheng)擊穿(chuan)。對(dui)于硅片生(sheng)(sheng)產濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范(fan)圍為(wei)35—45%。