潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)(yi)對(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)要求以后(hou)還要列舉，但(dan)作為(wei)(wei)總的(de)(de)原則看，由(you)于(yu)加工精度(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精細，所(suo)以對(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)波動范(fan)圍(wei)的(de)(de)要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。例如在(zai)大規模集成電路生(sheng)產(chan)的(de)(de)光(guang)(guang)刻曝光(guang)(guang)工藝(yi)(yi)中，作為(wei)(wei)掩膜板材料的(de)(de)玻璃與硅片的(de)(de)熱膨脹系(xi)數的(de)(de)差要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。直(zhi)徑100 um的(de)(de)硅片，溫(wen)度(du)(du)(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)(du)(du)，就引起了0.24um線性(xing)膨脹，所(suo)以必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)(shi)要求濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)值一般(ban)較(jiao)低，因為(wei)(wei)人(ren)出(chu)汗以后(hou)，對(dui)產(chan)品將有污(wu)染(ran)，特別是怕(pa)鈉的(de)(de)半導(dao)體(ti)車間，這種(zhong)車間溫(wen)度(du)(du)(du)(du)不宜超過25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)過高(gao)(gao)產(chan)生(sheng)的(de)(de)問題更多。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)超過55%時(shi)(shi)，冷卻(que)水管壁上(shang)會(hui)結露，如果發生(sheng)在(zai)精密裝(zhuang)置或電路中，就會(hui)引起各(ge)種(zhong)事故。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)太高(gao)(gao)時(shi)(shi)將通(tong)過空氣中的(de)(de)水分子(zi)把硅片表面(mian)粘著的(de)(de)灰塵化學吸(xi)附在(zai)表面(mian)難(nan)以清(qing)除(chu)。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao)(gao),粘附的(de)(de)越(yue)(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)，又由(you)于(yu)靜電力的(de)(de)作用(yong)使粒子(zi)也容易吸(xi)附于(yu)表面(mian)，同時(shi)(shi)大量半導(dao)體(ti)器件容易發生(sheng)擊穿(chuan)。對(dui)于(yu)硅片生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)范(fan)圍(wei)為(wei)(wei)35—45%。