潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體(ti)工(gong)藝(yi)對(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求以后還要(yao)列舉，但作(zuo)為總(zong)的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)(yu)加(jia)工(gong)精(jing)(jing)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精(jing)(jing)細，所(suo)(suo)以對(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例如在(zai)(zai)大規模集成電路生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工(gong)藝(yi)中(zhong)(zhong)，作(zuo)為掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹(zhang)系數(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)要(yao)求越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅片，溫度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線(xian)性膨脹(zhang)，所(suo)(suo)以必須有(you)±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫，同(tong)時要(yao)求濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值(zhi)一般較(jiao)低(di)，因為人出汗以后，對(dui)(dui)(dui)產(chan)品將(jiang)有(you)污染，特別是(shi)怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這種車(che)間溫度(du)(du)(du)不(bu)宜超(chao)過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高產(chan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題更(geng)多。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過55%時，冷卻水(shui)管壁上會結露，如果發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)精(jing)(jing)密裝置或電路中(zhong)(zhong)，就會引起(qi)各種事故。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在(zai)(zai)50%時易(yi)生(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太(tai)高時將(jiang)通(tong)過空氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水(shui)分子把硅片表面(mian)(mian)粘(zhan)著(zhu)的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化(hua)學吸附在(zai)(zai)表面(mian)(mian)難(nan)(nan)以清除(chu)。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)高,粘(zhan)附的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難(nan)(nan)去掉，但當相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低(di)于(yu)(yu)30%時，又由于(yu)(yu)靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容(rong)易(yi)吸附于(yu)(yu)表面(mian)(mian)，同(tong)時大量半導體(ti)器(qi)件(jian)容(rong)易(yi)發(fa)生(sheng)(sheng)擊穿(chuan)。對(dui)(dui)(dui)于(yu)(yu)硅片生(sheng)(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范圍為35—45%。