潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對(dui)(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)的要求以(yi)后還(huan)要列舉，但(dan)作為(wei)總的原則看(kan)，由(you)于(yu)加工精(jing)(jing)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)精(jing)(jing)細，所以(yi)對(dui)(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)波動(dong)范圍的要求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。例如在大規模集成電路生(sheng)產(chan)的光刻曝光工藝(yi)中，作為(wei)掩膜(mo)板(ban)材料的玻璃(li)與(yu)硅片的熱膨(peng)脹(zhang)系數的差(cha)要求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。直徑100 um的硅片，溫度(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)，就(jiu)引起了0.24um線性膨(peng)脹(zhang)，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)的恒溫，同(tong)時(shi)(shi)要求濕(shi)度(du)(du)值一般較(jiao)低(di)，因為(wei)人出汗以(yi)后，對(dui)(dui)(dui)(dui)產(chan)品將有污染，特別是(shi)怕鈉的半導體(ti)車(che)間，這種車(che)間溫度(du)(du)不宜(yi)超過(guo)25度(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)過(guo)高(gao)產(chan)生(sheng)的問(wen)題更(geng)多。相對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)超過(guo)55%時(shi)(shi)，冷(leng)卻水管壁上(shang)會結露，如果發生(sheng)在精(jing)(jing)密(mi)裝(zhuang)置或電路中，就(jiu)會引起各(ge)種事故。相對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)在50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)度(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通(tong)過(guo)空(kong)氣中的水分子把硅片表(biao)面粘著(zhu)的灰塵(chen)化學吸附在表(biao)面難(nan)以(yi)清除。相對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高(gao),粘附的越(yue)(yue)(yue)難(nan)去(qu)掉(diao)，但(dan)當相對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)低(di)于(yu)30%時(shi)(shi)，又由(you)于(yu)靜電力的作用使粒子也容易吸附于(yu)表(biao)面，同(tong)時(shi)(shi)大量半導體(ti)器(qi)件容易發生(sheng)擊穿。對(dui)(dui)(dui)(dui)于(yu)硅片生(sheng)產(chan)濕(shi)度(du)(du)范圍為(wei)35—45%。