潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體(ti)工藝對(dui)(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以(yi)后(hou)還要(yao)列(lie)舉，但(dan)(dan)作(zuo)為總的(de)(de)(de)原則看，由(you)于(yu)(yu)加(jia)工精度(du)(du)(du)越來越精細，所(suo)(suo)以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)波動范(fan)圍的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越來越小。例如在大規模集成電(dian)路(lu)生產(chan)的(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中(zhong)，作(zuo)為掩(yan)膜板材料的(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)(gui)片(pian)的(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越來越小。直(zhi)徑100 um的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引(yin)起了0.24um線性(xing)膨脹，所(suo)(suo)以(yi)必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同時(shi)(shi)(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值(zhi)一(yi)般較低，因(yin)為人出汗以(yi)后(hou)，對(dui)(dui)產(chan)品(pin)將(jiang)有污染，特(te)別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體(ti)車間(jian)，這種車間(jian)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)不(bu)宜超(chao)過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高產(chan)生的(de)(de)(de)問題更(geng)多。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過55%時(shi)(shi)(shi)，冷卻(que)水(shui)(shui)管壁上會結露，如果發生在精密(mi)裝置或電(dian)路(lu)中(zhong)，就會引(yin)起各種事故(gu)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)(shi)易生銹(xiu)。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太(tai)高時(shi)(shi)(shi)將(jiang)通過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)水(shui)(shui)分子把硅(gui)(gui)片(pian)表(biao)面粘(zhan)著的(de)(de)(de)灰塵化學吸附在表(biao)面難(nan)(nan)以(yi)清(qing)除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越高,粘(zhan)附的(de)(de)(de)越難(nan)(nan)去掉(diao)，但(dan)(dan)當相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)(yu)30%時(shi)(shi)(shi)，又由(you)于(yu)(yu)靜(jing)電(dian)力的(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容(rong)易吸附于(yu)(yu)表(biao)面，同時(shi)(shi)(shi)大量半導體(ti)器件容(rong)易發生擊穿。對(dui)(dui)于(yu)(yu)硅(gui)(gui)片(pian)生產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍為35—45%。