潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求以后還要(yao)(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原則看(kan)，由于加工精度(du)(du)(du)(du)越來越精細，所以對溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)波(bo)動范圍的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求越來越小。例(li)如在(zai)大規(gui)模集成電路生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中(zhong)(zhong)，作(zuo)為(wei)掩(yan)膜板材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求越來越小。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)，就(jiu)引(yin)(yin)起了0.24um線(xian)性膨脹，所以必須(xu)有±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)時(shi)要(yao)(yao)求濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)值(zhi)一般(ban)較低，因為(wei)人(ren)出汗以后，對產(chan)品將(jiang)(jiang)有污(wu)染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導體車(che)間，這種(zhong)車(che)間溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)不宜超(chao)過(guo)25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)過(guo)高產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題更多。相(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)超(chao)過(guo)55%時(shi)，冷(leng)卻(que)水管壁上會結露，如果發生(sheng)在(zai)精密裝置(zhi)或電路中(zhong)(zhong)，就(jiu)會引(yin)(yin)起各(ge)種(zhong)事故。相(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)太高時(shi)將(jiang)(jiang)通過(guo)空氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)水分子把硅(gui)片(pian)表面粘(zhan)(zhan)著的(de)(de)(de)(de)(de)(de)灰(hui)塵化學吸附(fu)在(zai)表面難以清(qing)除。相(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)越高,粘(zhan)(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)越難去掉，但當相(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)低于30%時(shi)，又由于靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使(shi)粒子也容易吸附(fu)于表面，同(tong)時(shi)大量半導體器(qi)件容易發生(sheng)擊穿。對于硅(gui)片(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)35—45%。