潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)以(yi)后還要(yao)(yao)列舉，但(dan)作為(wei)(wei)總的(de)(de)原則看(kan)，由于(yu)加工精度(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細，所以(yi)對溫(wen)度(du)(du)波動范圍的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。例如在(zai)大規(gui)模集成電路(lu)生(sheng)產的(de)(de)光刻曝(pu)光工藝中，作為(wei)(wei)掩膜板(ban)材料的(de)(de)玻璃與(yu)硅片(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。直(zhi)徑100 um的(de)(de)硅片(pian)，溫(wen)度(du)(du)上(shang)升(sheng)1度(du)(du)，就(jiu)引起了0.24um線性(xing)膨脹(zhang)，所以(yi)必須有(you)±0.1度(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)要(yao)(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低(di)，因為(wei)(wei)人出汗以(yi)后，對產品將有(you)污染(ran)，特別(bie)是怕鈉(na)的(de)(de)半導體(ti)車間，這種車間溫(wen)度(du)(du)不宜超過(guo)25度(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)過(guo)高產生(sheng)的(de)(de)問題更多。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)超過(guo)55%時(shi)，冷卻水(shui)(shui)管壁(bi)上(shang)會結露(lu)，如果(guo)發生(sheng)在(zai)精密裝置或電路(lu)中，就(jiu)會引起各種事故。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)在(zai)50%時(shi)易生(sheng)銹。此外(wai)，濕(shi)(shi)度(du)(du)太高時(shi)將通過(guo)空氣中的(de)(de)水(shui)(shui)分子把硅片(pian)表面粘(zhan)著的(de)(de)灰塵化(hua)學吸附在(zai)表面難以(yi)清(qing)除。相對濕(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)高,粘(zhan)附的(de)(de)越(yue)難去掉，但(dan)當相對濕(shi)(shi)度(du)(du)低(di)于(yu)30%時(shi)，又由于(yu)靜電力的(de)(de)作用使粒子也容(rong)易吸附于(yu)表面，同(tong)時(shi)大量半導體(ti)器件容(rong)易發生(sheng)擊(ji)穿(chuan)。對于(yu)硅片(pian)生(sheng)產濕(shi)(shi)度(du)(du)范圍為(wei)(wei)35—45%。