潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝(yi)對(dui)(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以后還要(yao)列舉，但作為(wei)總(zong)的(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)(you)于加工精度(du)(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細，所以對(dui)(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)波動范(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。例如在大(da)規模集(ji)成電路(lu)(lu)生產(chan)的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中，作為(wei)掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。直(zhi)徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引(yin)(yin)起了0.24um線性膨(peng)脹，所以必須有(you)±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)(wen)，同(tong)時(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)值一(yi)般(ban)較低，因為(wei)人出汗以后，對(dui)(dui)(dui)產(chan)品將(jiang)有(you)污染，特別是怕鈉(na)的(de)(de)(de)(de)半導體車間，這(zhe)種車間溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)不宜超過25度(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)過高產(chan)生的(de)(de)(de)(de)問題更(geng)多。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)超過55%時(shi)，冷卻水管壁上會(hui)結露，如果發生在精密(mi)裝置或電路(lu)(lu)中，就會(hui)引(yin)(yin)起各(ge)種事故。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)易生銹。此(ci)外，濕(shi)度(du)(du)(du)太高時(shi)將(jiang)通過空氣(qi)中的(de)(de)(de)(de)水分(fen)子(zi)把硅片(pian)(pian)表面粘著的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)附在表面難以清除。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)越(yue)高,粘附的(de)(de)(de)(de)越(yue)難去(qu)掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)低于30%時(shi)，又由(you)(you)于靜電力的(de)(de)(de)(de)作用使粒(li)子(zi)也容(rong)易吸(xi)附于表面，同(tong)時(shi)大(da)量(liang)半導體器件(jian)容(rong)易發生擊穿。對(dui)(dui)(dui)于硅片(pian)(pian)生產(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍(wei)為(wei)35—45%。