潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝(yi)對(dui)溫(wen)度(du)(du)的(de)要求(qiu)以(yi)后還要列舉，但作為(wei)(wei)總的(de)原則看，由(you)于加工精度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來(lai)(lai)越(yue)(yue)(yue)精細，所以(yi)對(dui)溫(wen)度(du)(du)波動范圍(wei)的(de)要求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來(lai)(lai)越(yue)(yue)(yue)小。例如在大(da)規模集(ji)成電路生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)(chan)的(de)光刻曝光工藝(yi)中，作為(wei)(wei)掩膜板材料的(de)玻璃(li)與(yu)硅(gui)片的(de)熱膨(peng)脹(zhang)系數(shu)的(de)差(cha)要求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來(lai)(lai)越(yue)(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)硅(gui)片，溫(wen)度(du)(du)上(shang)升(sheng)1度(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹(zhang)，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)的(de)恒溫(wen)，同時(shi)要求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)(du)值(zhi)一般(ban)較低，因(yin)為(wei)(wei)人出汗(han)以(yi)后，對(dui)產(chan)(chan)品將有污染，特別是怕鈉(na)的(de)半導(dao)(dao)體車(che)(che)間，這(zhe)種(zhong)車(che)(che)間溫(wen)度(du)(du)不宜超過25度(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)過高產(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)問(wen)題更(geng)多。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)超過55%時(shi)，冷卻水管壁上(shang)會結露，如果(guo)發生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)在精密裝置或電路中，就會引起(qi)各(ge)種(zhong)事故。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)在50%時(shi)易(yi)(yi)(yi)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)銹(xiu)。此外(wai)，濕(shi)(shi)度(du)(du)太高時(shi)將通過空氣中的(de)水分子(zi)把硅(gui)片表(biao)面(mian)粘著的(de)灰塵化學吸(xi)附在表(biao)面(mian)難(nan)以(yi)清除(chu)。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高,粘附的(de)越(yue)(yue)(yue)難(nan)去掉(diao)，但當相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)低于30%時(shi)，又由(you)于靜電力的(de)作用使粒(li)子(zi)也容(rong)易(yi)(yi)(yi)吸(xi)附于表(biao)面(mian)，同時(shi)大(da)量半導(dao)(dao)體器件(jian)容(rong)易(yi)(yi)(yi)發生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)擊(ji)穿。對(dui)于硅(gui)片生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)范圍(wei)為(wei)(wei)35—45%。