潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要求以(yi)后還要列舉(ju)，但作(zuo)為總的(de)(de)(de)原則(ze)看(kan)，由于加工精度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細，所以(yi)對溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動(dong)范圍的(de)(de)(de)要求越(yue)來(lai)越(yue)小。例如在(zai)(zai)大(da)規(gui)模集成電路(lu)生(sheng)產的(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中(zhong)(zhong)，作(zuo)為掩膜(mo)板材料的(de)(de)(de)玻璃(li)與硅片(pian)的(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)(de)差要求越(yue)來(lai)越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)硅片(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)(shi)要求濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一(yi)般較(jiao)低，因為人出汗以(yi)后，對產品將(jiang)有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體車(che)間，這種車(che)間溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不(bu)宜超過(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)高產生(sheng)的(de)(de)(de)問(wen)題更多。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻(que)水管壁上(shang)會結露，如果(guo)發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)精密裝置或電路(lu)中(zhong)(zhong)，就會引起(qi)各種事故。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)(zai)50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)(shi)將(jiang)通過(guo)空氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)水分子把硅片(pian)表(biao)面粘著的(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)附在(zai)(zai)表(biao)面難以(yi)清除。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)高,粘附的(de)(de)(de)越(yue)難去掉，但當相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低于30%時(shi)(shi)，又由于靜(jing)電力(li)的(de)(de)(de)作(zuo)用使粒(li)子也容(rong)易吸(xi)附于表(biao)面，同時(shi)(shi)大(da)量半導體器(qi)件容(rong)易發(fa)生(sheng)擊穿(chuan)。對于硅片(pian)生(sheng)產濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍為35—45%。