潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工(gong)藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)以(yi)(yi)后(hou)還要列舉，但(dan)作為(wei)總的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)則看，由(you)于(yu)(yu)加工(gong)精(jing)度(du)(du)越來(lai)越精(jing)細，所(suo)以(yi)(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)波(bo)動范圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)越來(lai)越小。例(li)如在大規模集成電(dian)(dian)路生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光刻(ke)曝光工(gong)藝中(zhong)(zhong)，作為(wei)掩膜(mo)板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)(gui)片的(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)膨脹系數的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)要求(qiu)越來(lai)越小。直(zhi)徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片，溫(wen)度(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)，就(jiu)引(yin)(yin)起(qi)(qi)了0.24um線(xian)性膨脹，所(suo)以(yi)(yi)必(bi)須有(you)±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)(tong)時(shi)(shi)要求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值(zhi)一(yi)般較低，因為(wei)人出汗(han)以(yi)(yi)后(hou)，對(dui)(dui)產(chan)(chan)品將有(you)污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體車間(jian)，這(zhe)種車間(jian)溫(wen)度(du)(du)不宜超過(guo)25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過(guo)高(gao)產(chan)(chan)生的(de)(de)(de)(de)(de)問題(ti)更多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超過(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水管壁上(shang)會結露，如果發(fa)生在精(jing)密裝置或電(dian)(dian)路中(zhong)(zhong)，就(jiu)會引(yin)(yin)起(qi)(qi)各種事(shi)故。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在50%時(shi)(shi)易(yi)生銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通過(guo)空氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水分(fen)子把硅(gui)(gui)片表(biao)面(mian)(mian)粘(zhan)著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在表(biao)面(mian)(mian)難(nan)以(yi)(yi)清除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越高(gao),粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)越難(nan)去掉，但(dan)當(dang)相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低于(yu)(yu)30%時(shi)(shi)，又由(you)于(yu)(yu)靜(jing)電(dian)(dian)力的(de)(de)(de)(de)(de)作用使(shi)粒子也容易(yi)吸附(fu)于(yu)(yu)表(biao)面(mian)(mian)，同(tong)(tong)時(shi)(shi)大量半導體器件容易(yi)發(fa)生擊穿。對(dui)(dui)于(yu)(yu)硅(gui)(gui)片生產(chan)(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范圍(wei)為(wei)35—45%。