潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對溫度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)以(yi)后還要(yao)(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為總的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)于(yu)加(jia)工精(jing)(jing)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)(yue)精(jing)(jing)細，所以(yi)對溫度(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)(yue)小。例如(ru)在(zai)大(da)規(gui)模集(ji)成電路生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中(zhong)，作(zuo)為掩(yan)膜板(ban)材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與(yu)硅片的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)(yue)小。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅片，溫度(du)(du)上升(sheng)1度(du)(du)，就引(yin)起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫，同時要(yao)(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低(di)，因為人出汗以(yi)后，對產(chan)品將有污染(ran)，特(te)別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這種車(che)間溫度(du)(du)不(bu)宜超過(guo)25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過(guo)高產(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超過(guo)55%時，冷卻水(shui)管(guan)壁上會(hui)結露，如(ru)果發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)精(jing)(jing)密裝置或(huo)電路中(zhong)，就會(hui)引(yin)起(qi)各種事故(gu)。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在(zai)50%時易生(sheng)(sheng)(sheng)銹。此(ci)外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太高時將通過(guo)空氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水(shui)分子把硅片表面(mian)粘(zhan)著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在(zai)表面(mian)難以(yi)清(qing)除。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)(yue)高,粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)(yue)(yue)難去掉(diao)，但當相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低(di)于(yu)30%時，又由(you)于(yu)靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒(li)子也容易吸附(fu)于(yu)表面(mian)，同時大(da)量半導體(ti)器件容易發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)擊穿(chuan)。對于(yu)硅片生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范圍為35—45%。