潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工(gong)藝(yi)對(dui)(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)的(de)要求(qiu)以(yi)(yi)后還要列舉(ju)，但作(zuo)為總(zong)的(de)原則看(kan)，由于加(jia)工(gong)精度(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細，所以(yi)(yi)對(dui)(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)波動范圍的(de)要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。例(li)如在(zai)大規模(mo)集成電路生(sheng)(sheng)(sheng)產的(de)光(guang)刻(ke)曝光(guang)工(gong)藝(yi)中，作(zuo)為掩膜(mo)板材料的(de)玻(bo)璃與硅片的(de)熱膨(peng)脹系數的(de)差要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)硅片，溫(wen)度(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)，就(jiu)引起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所以(yi)(yi)必須有±0.1度(du)(du)的(de)恒(heng)溫(wen)，同時要求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低(di)，因為人出汗以(yi)(yi)后，對(dui)(dui)(dui)(dui)產品將有污染，特(te)別(bie)是怕鈉的(de)半導(dao)體車間，這(zhe)種車間溫(wen)度(du)(du)不(bu)宜超過25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過高產生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)問題更多。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超過55%時，冷卻水管壁上(shang)會結露，如果發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)精密裝(zhuang)置或電路中，就(jiu)會引起(qi)各種事(shi)故。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在(zai)50%時易(yi)生(sheng)(sheng)(sheng)銹。此(ci)外(wai)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太高時將通過空氣中的(de)水分子把硅片表(biao)(biao)面(mian)(mian)粘(zhan)(zhan)著的(de)灰塵化學吸(xi)附(fu)在(zai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)難(nan)以(yi)(yi)清除。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)高,粘(zhan)(zhan)附(fu)的(de)越(yue)難(nan)去掉(diao)，但當相(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低(di)于30%時，又由于靜電力(li)的(de)作(zuo)用(yong)使粒子也容易(yi)吸(xi)附(fu)于表(biao)(biao)面(mian)(mian)，同時大量半導(dao)體器(qi)件容易(yi)發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)擊穿。對(dui)(dui)(dui)(dui)于硅片生(sheng)(sheng)(sheng)產濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范圍為35—45%。