潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工(gong)藝對(dui)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求以(yi)(yi)后(hou)還要(yao)(yao)列舉，但(dan)作(zuo)(zuo)為(wei)(wei)總的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由于加(jia)工(gong)精(jing)(jing)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)精(jing)(jing)細，所以(yi)(yi)對(dui)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)波動(dong)范圍的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。例如(ru)在大(da)規模(mo)集成電路(lu)生(sheng)(sheng)產的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光刻曝光工(gong)藝中(zhong)，作(zuo)(zuo)為(wei)(wei)掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)硅片，溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)上(shang)升(sheng)1度(du)(du)，就引(yin)起了0.24um線性膨脹(zhang)，所以(yi)(yi)必須(xu)有±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)(wen)(wen)，同時(shi)(shi)(shi)要(yao)(yao)求濕(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低，因為(wei)(wei)人(ren)出汗以(yi)(yi)后(hou)，對(dui)產品將(jiang)有污染(ran)，特別(bie)是怕(pa)鈉(na)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體車間(jian)，這種(zhong)車間(jian)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)不宜(yi)超過(guo)25度(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)過(guo)高(gao)產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題更多。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)超過(guo)55%時(shi)(shi)(shi)，冷卻水管壁上(shang)會結露(lu)，如(ru)果發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)在精(jing)(jing)密裝置或(huo)電路(lu)中(zhong)，就會引(yin)起各種(zhong)事故。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)在50%時(shi)(shi)(shi)易生(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)(shi)將(jiang)通過(guo)空(kong)氣(qi)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)水分子(zi)把硅片表(biao)面粘著的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學(xue)吸(xi)附在表(biao)面難(nan)以(yi)(yi)清除。相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高(gao),粘附的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)低于30%時(shi)(shi)(shi)，又(you)由于靜(jing)電力(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用使粒子(zi)也容易吸(xi)附于表(biao)面，同時(shi)(shi)(shi)大(da)量半導(dao)體器件(jian)容易發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)擊穿。對(dui)于硅片生(sheng)(sheng)產濕(shi)(shi)度(du)(du)范圍為(wei)(wei)35—45%。