潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)要求以(yi)后還(huan)要列舉(ju)，但作(zuo)為(wei)(wei)總的(de)(de)原則(ze)看，由(you)于加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)越(yue)來越(yue)精(jing)細，所以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)波動(dong)范圍的(de)(de)要求越(yue)來越(yue)小(xiao)。例如在大規模集成(cheng)電路(lu)生(sheng)產的(de)(de)光刻曝(pu)光工藝中，作(zuo)為(wei)(wei)掩膜板材料的(de)(de)玻璃與硅片(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要求越(yue)來越(yue)小(xiao)。直(zhi)徑(jing)100 um的(de)(de)硅片(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨脹(zhang)，所以(yi)必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)(shi)要求濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)值(zhi)一般較低，因(yin)為(wei)(wei)人(ren)出汗以(yi)后，對(dui)(dui)產品將有污染，特(te)別是怕(pa)鈉(na)的(de)(de)半(ban)導(dao)體車(che)間，這種車(che)間溫(wen)度(du)(du)(du)(du)不宜(yi)超(chao)過(guo)25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)過(guo)高(gao)產生(sheng)的(de)(de)問題(ti)更多。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)超(chao)過(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水(shui)管壁上會結露，如果發生(sheng)在精(jing)密裝置或電路(lu)中，就會引起(qi)各種事故。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通過(guo)空氣中的(de)(de)水(shui)分(fen)子(zi)把(ba)硅片(pian)表面粘(zhan)著(zhu)的(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在表面難以(yi)清除(chu)。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)高(gao),粘(zhan)附(fu)的(de)(de)越(yue)難去掉(diao)，但當(dang)相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)低于30%時(shi)(shi)，又由(you)于靜電力的(de)(de)作(zuo)用使粒子(zi)也(ye)容易吸附(fu)于表面，同(tong)時(shi)(shi)大量半(ban)導(dao)體器件容易發生(sheng)擊穿。對(dui)(dui)于硅片(pian)生(sheng)產濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)(wei)35—45%。