潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)以(yi)后還要列舉，但作(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由于加工精度(du)(du)(du)(du)(du)越來越精細，所(suo)以(yi)對(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動范(fan)圍(wei)(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)越來越小。例如(ru)在(zai)大(da)規(gui)模(mo)集成電(dian)(dian)路生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光刻曝(pu)光工藝中，作(zuo)為(wei)掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與(yu)硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)(de)差要求(qiu)越來越小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)片，溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就(jiu)引起(qi)了0.24um線性膨(peng)脹，所(suo)以(yi)必須(xu)有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)(shi)要求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值(zhi)一般較(jiao)低，因為(wei)人出汗(han)以(yi)后，對(dui)產(chan)品將(jiang)有污染，特別(bie)是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體(ti)車(che)間，這種(zhong)車(che)間溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不(bu)宜超(chao)過(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)高產(chan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題更多。相對(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超(chao)過(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水管壁上會結露，如(ru)果發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)精密裝置或電(dian)(dian)路中，就(jiu)會引起(qi)各(ge)種(zhong)事故。相對(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易(yi)(yi)生(sheng)(sheng)銹。此(ci)外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太(tai)高時(shi)(shi)將(jiang)通過(guo)空氣中的(de)(de)(de)(de)(de)水分子把(ba)硅(gui)片表(biao)(biao)面(mian)粘著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附在(zai)表(biao)(biao)面(mian)難(nan)以(yi)清除。相對(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越高,粘附的(de)(de)(de)(de)(de)越難(nan)去(qu)掉，但當相對(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低于30%時(shi)(shi)，又(you)由于靜電(dian)(dian)力的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容易(yi)(yi)吸附于表(biao)(biao)面(mian)，同(tong)時(shi)(shi)大(da)量(liang)半導(dao)體(ti)器件(jian)容易(yi)(yi)發(fa)生(sheng)(sheng)擊(ji)穿。對(dui)于硅(gui)片生(sheng)(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范(fan)圍(wei)(wei)為(wei)35—45%。