潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)要求以后(hou)還要列舉，但作(zuo)為(wei)(wei)總的(de)(de)原則看(kan)，由于(yu)加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精(jing)細，所(suo)以對溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)波動范圍(wei)的(de)(de)要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小(xiao)。例如(ru)在(zai)(zai)大規模(mo)集(ji)成電(dian)路(lu)(lu)生(sheng)產(chan)的(de)(de)光刻曝(pu)光工藝中，作(zuo)為(wei)(wei)掩膜(mo)板材料的(de)(de)玻璃與硅(gui)片(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小(xiao)。直徑(jing)100 um的(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)，就引起了0.24um線(xian)性膨脹(zhang)，所(suo)以必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同時(shi)(shi)要求濕(shi)度(du)(du)(du)(du)值一般較(jiao)低(di)，因為(wei)(wei)人出汗以后(hou)，對產(chan)品將(jiang)有污染，特別是怕鈉的(de)(de)半導體車間，這種(zhong)車間溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)不宜超(chao)過25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)過高(gao)產(chan)生(sheng)的(de)(de)問(wen)題更多(duo)。相(xiang)(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)超(chao)過55%時(shi)(shi)，冷卻水管壁上會結露，如(ru)果發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)精(jing)密裝置或電(dian)路(lu)(lu)中，就會引起各種(zhong)事(shi)故。相(xiang)(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)在(zai)(zai)50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹(xiu)。此外，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)太(tai)高(gao)時(shi)(shi)將(jiang)通過空氣中的(de)(de)水分子(zi)把(ba)硅(gui)片(pian)表面粘著(zhu)的(de)(de)灰塵化學吸(xi)附(fu)在(zai)(zai)表面難(nan)以清除。相(xiang)(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao),粘附(fu)的(de)(de)越(yue)(yue)難(nan)去掉，但當相(xiang)(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)低(di)于(yu)30%時(shi)(shi)，又(you)由于(yu)靜電(dian)力的(de)(de)作(zuo)用(yong)使粒(li)子(zi)也容易吸(xi)附(fu)于(yu)表面，同時(shi)(shi)大量(liang)半導體器件(jian)容易發(fa)生(sheng)擊穿。對于(yu)硅(gui)片(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)范圍(wei)為(wei)(wei)35—45%。