潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝對(dui)(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)以后(hou)(hou)還要(yao)(yao)列(lie)舉，但作(zuo)為(wei)(wei)總的(de)(de)原(yuan)則看，由于(yu)(yu)加工精度(du)(du)(du)越(yue)來越(yue)精細，所以對(dui)(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)波動范圍的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來越(yue)小。例如在(zai)大規模集成電(dian)路生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)的(de)(de)光刻曝光工藝中，作(zuo)為(wei)(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)玻(bo)璃與硅片的(de)(de)熱(re)膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)來越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)硅片，溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨脹(zhang)，所以必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)(wen)(wen)，同(tong)時(shi)要(yao)(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一般較低，因為(wei)(wei)人出汗(han)以后(hou)(hou)，對(dui)(dui)(dui)產(chan)(chan)品將有污染，特(te)別是怕鈉的(de)(de)半導(dao)體車(che)間，這種(zhong)車(che)間溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)不宜超過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高(gao)(gao)產(chan)(chan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)問題更多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超過55%時(shi)，冷卻(que)水(shui)管壁上會結(jie)露，如果發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)精密裝置或電(dian)路中，就會引起(qi)各種(zhong)事故。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)易(yi)生(sheng)(sheng)銹。此外(wai)，濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)(gao)時(shi)將通(tong)過空(kong)氣中的(de)(de)水(shui)分(fen)子把硅片表面(mian)(mian)粘著的(de)(de)灰(hui)塵化學吸附在(zai)表面(mian)(mian)難(nan)以清除。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)高(gao)(gao),粘附的(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)(yu)30%時(shi)，又由于(yu)(yu)靜電(dian)力(li)的(de)(de)作(zuo)用使粒(li)子也容易(yi)吸附于(yu)(yu)表面(mian)(mian)，同(tong)時(shi)大量(liang)半導(dao)體器件(jian)容易(yi)發(fa)生(sheng)(sheng)擊(ji)穿。對(dui)(dui)(dui)于(yu)(yu)硅片生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范圍為(wei)(wei)35—45%。