潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要求(qiu)以(yi)后還要列舉，但(dan)作(zuo)為總的(de)(de)(de)(de)原則看(kan)，由于加(jia)工精(jing)度(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精(jing)細，所以(yi)對(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)(de)要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。例如在(zai)(zai)大(da)規模集成(cheng)電(dian)路(lu)生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝中，作(zuo)為掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)的(de)(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)(peng)脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)差要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)硅片(pian)，溫度(du)(du)上(shang)(shang)升1度(du)(du)，就引起了0.24um線性(xing)膨(peng)(peng)脹，所以(yi)必須(xu)有±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫，同時要求(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低(di)，因為人出汗(han)以(yi)后，對(dui)(dui)(dui)產(chan)品將有污染(ran)，特別是怕(pa)鈉的(de)(de)(de)(de)半導體車間，這種車間溫度(du)(du)不宜(yi)超過(guo)(guo)(guo)25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過(guo)(guo)(guo)高產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題更多(duo)。相對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超過(guo)(guo)(guo)55%時，冷卻水管壁上(shang)(shang)會結露，如果發生(sheng)在(zai)(zai)精(jing)密(mi)裝置(zhi)或電(dian)路(lu)中，就會引起各種事故。相對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在(zai)(zai)50%時易(yi)生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太(tai)高時將通過(guo)(guo)(guo)空氣中的(de)(de)(de)(de)水分子(zi)把硅片(pian)表面(mian)(mian)粘著的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在(zai)(zai)表面(mian)(mian)難以(yi)清(qing)除(chu)。相對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)高,粘附(fu)的(de)(de)(de)(de)越(yue)難去掉，但(dan)當相對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低(di)于30%時，又(you)由于靜電(dian)力的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使(shi)粒子(zi)也容易(yi)吸附(fu)于表面(mian)(mian)，同時大(da)量半導體器(qi)件容易(yi)發生(sheng)擊穿。對(dui)(dui)(dui)于硅片(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范圍為35—45%。