潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝對溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)以后(hou)還要列舉，但作為總的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)加工精(jing)度(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精(jing)細，所(suo)以對溫(wen)度(du)(du)波動范圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例(li)如在(zai)大規(gui)模(mo)集成(cheng)電(dian)路生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光刻(ke)曝(pu)光工藝中(zhong)(zhong)，作為掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻(bo)璃與硅片的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)(de)(de)(de)差要求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅片，溫(wen)度(du)(du)上(shang)升(sheng)1度(du)(du)，就引起了0.24um線性膨脹(zhang)，所(suo)以必須有(you)±0.1度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)(shi)(shi)要求(qiu)(qiu)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)值一般較低，因為人出汗以后(hou)，對產(chan)品將有(you)污染，特(te)別是(shi)怕(pa)鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間(jian)，這種車(che)間(jian)溫(wen)度(du)(du)不(bu)宜超過25度(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)過高產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題(ti)更多。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)超過55%時(shi)(shi)(shi)，冷卻水管壁上(shang)會(hui)結露，如果發(fa)生(sheng)在(zai)精(jing)密裝置或電(dian)路中(zhong)(zhong)，就會(hui)引起各種事故。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)在(zai)50%時(shi)(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)太高時(shi)(shi)(shi)將通過空(kong)氣中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水分(fen)子把硅片表(biao)面(mian)粘著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)附在(zai)表(biao)面(mian)難以清除(chu)。相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)越(yue)(yue)高,粘附的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但當(dang)相(xiang)對濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)(shi)，又由于(yu)靜電(dian)力的(de)(de)(de)(de)(de)作用使粒子也容易吸(xi)附于(yu)表(biao)面(mian)，同(tong)時(shi)(shi)(shi)大量半導體(ti)器件容易發(fa)生(sheng)擊穿。對于(yu)硅片生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)范圍(wei)為35—45%。