潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體(ti)工(gong)藝對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)要(yao)求以后還要(yao)列舉，但作(zuo)為(wei)總的(de)原則(ze)看(kan)，由(you)于(yu)(yu)加(jia)工(gong)精(jing)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精(jing)細(xi)，所(suo)以對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動(dong)范圍的(de)要(yao)求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。例如在(zai)大規模集(ji)成電路(lu)生(sheng)產(chan)的(de)光(guang)刻曝光(guang)工(gong)藝中(zhong)，作(zuo)為(wei)掩膜板材料的(de)玻璃與硅片的(de)熱膨脹系數的(de)差要(yao)求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)硅片，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就(jiu)引起了0.24um線性膨脹，所(suo)以必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)恒(heng)溫(wen)(wen)，同(tong)時(shi)(shi)要(yao)求濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一般較低，因為(wei)人出汗以后，對(dui)產(chan)品將(jiang)有污染，特(te)別是怕(pa)鈉的(de)半導體(ti)車間(jian)，這種車間(jian)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不宜(yi)超過(guo)(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)(guo)高(gao)產(chan)生(sheng)的(de)問題(ti)更多。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水(shui)管(guan)壁上會(hui)(hui)結露，如果發(fa)生(sheng)在(zai)精(jing)密裝置或電路(lu)中(zhong)，就(jiu)會(hui)(hui)引起各種事故。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太(tai)高(gao)時(shi)(shi)將(jiang)通(tong)過(guo)(guo)空氣中(zhong)的(de)水(shui)分子把硅片表面(mian)粘著的(de)灰塵(chen)化學吸附在(zai)表面(mian)難(nan)以清除。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao),粘附的(de)越(yue)(yue)難(nan)去掉(diao)，但當(dang)相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低于(yu)(yu)30%時(shi)(shi)，又由(you)于(yu)(yu)靜電力的(de)作(zuo)用使(shi)粒子也容易吸附于(yu)(yu)表面(mian)，同(tong)時(shi)(shi)大量半導體(ti)器件容易發(fa)生(sheng)擊穿。對(dui)于(yu)(yu)硅片生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)35—45%。