潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以后(hou)還(huan)要(yao)列舉，但作(zuo)為(wei)(wei)總(zong)的(de)(de)(de)原則看，由(you)于加工精(jing)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)精(jing)細，所以對(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)波動范(fan)圍的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)小。例(li)如(ru)在大規模集成電路(lu)生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中(zhong)(zhong)，作(zuo)為(wei)(wei)掩(yan)膜板材料的(de)(de)(de)玻璃與(yu)硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)熱膨脹系數(shu)的(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引(yin)起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒(heng)溫，同時要(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)值一般(ban)較低，因為(wei)(wei)人出汗以后(hou)，對(dui)(dui)產(chan)(chan)品將(jiang)(jiang)有污染，特別是怕(pa)鈉(na)的(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這種車(che)間溫度(du)(du)(du)不宜超過25度(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)過高(gao)產(chan)(chan)生的(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)超過55%時，冷卻水管壁上會(hui)(hui)結露，如(ru)果發生在精(jing)密裝(zhuang)置(zhi)或電路(lu)中(zhong)(zhong)，就會(hui)(hui)引(yin)起各種事故。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)在50%時易生銹。此外(wai)，濕(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)時將(jiang)(jiang)通過空氣(qi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)水分子(zi)把硅(gui)片(pian)表面粘(zhan)著的(de)(de)(de)灰塵化學吸(xi)附(fu)在表面難以清(qing)除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高(gao),粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)越(yue)(yue)(yue)難去(qu)掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)低于30%時，又由(you)于靜(jing)電力的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)使粒子(zi)也(ye)容(rong)易吸(xi)附(fu)于表面，同時大量半導體(ti)器件容(rong)易發生擊穿。對(dui)(dui)于硅(gui)片(pian)生產(chan)(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍為(wei)(wei)35—45%。