潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以后還要(yao)列舉，但作(zuo)為總的(de)(de)(de)原則看(kan)，由于(yu)(yu)加工精度(du)(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精細，所以對(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)波動(dong)范圍的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小(xiao)(xiao)。例如(ru)在(zai)大(da)規模集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)光刻曝光工藝中(zhong)，作(zuo)為掩膜板材料的(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)的(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小(xiao)(xiao)。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)硅片(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性(xing)膨脹，所以必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)，同時要(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一般較低，因為人(ren)出汗以后，對(dui)(dui)(dui)產(chan)品將有污染(ran)，特別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體車(che)(che)間，這(zhe)種車(che)(che)間溫(wen)度(du)(du)(du)不宜(yi)超過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高(gao)產(chan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)問(wen)題(ti)更(geng)多。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)超過55%時，冷卻水管(guan)壁上會結露(lu)，如(ru)果發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)精密裝置或電(dian)(dian)路(lu)中(zhong)，就會引起(qi)各種事故。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)在(zai)50%時易生(sheng)(sheng)銹。此(ci)外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)時將通過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)水分子(zi)(zi)把硅片(pian)表(biao)面粘著的(de)(de)(de)灰塵(chen)化學吸(xi)附在(zai)表(biao)面難以清除(chu)。相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao),粘附的(de)(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但當(dang)相(xiang)對(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)(yu)30%時，又由于(yu)(yu)靜電(dian)(dian)力的(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子(zi)(zi)也容(rong)易吸(xi)附于(yu)(yu)表(biao)面，同時大(da)量半導體器件容(rong)易發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)擊穿。對(dui)(dui)(dui)于(yu)(yu)硅片(pian)生(sheng)(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)范圍為35—45%。