潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工(gong)(gong)(gong)藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求以(yi)后還要列舉，但(dan)作為(wei)總(zong)的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由于(yu)加工(gong)(gong)(gong)精度(du)(du)(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精細，所以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)波(bo)動范圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。例如(ru)在大(da)規模集成電(dian)路生產的(de)(de)(de)(de)(de)光刻曝光工(gong)(gong)(gong)藝中，作為(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)玻(bo)璃與(yu)硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)差要求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)上(shang)升1度(du)(du)(du)，就引(yin)起了(le)0.24um線性膨脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)要求濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一般(ban)較(jiao)低，因為(wei)人出汗(han)以(yi)后，對(dui)(dui)產品將(jiang)有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間(jian)，這(zhe)種(zhong)車(che)間(jian)溫(wen)度(du)(du)(du)不(bu)宜超過(guo)25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)過(guo)高(gao)(gao)產生的(de)(de)(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)超過(guo)55%時(shi)，冷卻水管壁上(shang)會結露，如(ru)果發生在精密(mi)裝(zhuang)置或電(dian)路中，就會引(yin)起各種(zhong)事(shi)故。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)易(yi)生銹。此外，濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)(gao)時(shi)將(jiang)通過(guo)空氣中的(de)(de)(de)(de)(de)水分子(zi)把硅片(pian)(pian)表(biao)面粘著的(de)(de)(de)(de)(de)灰(hui)塵化學吸(xi)附(fu)在表(biao)面難以(yi)清除。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao)(gao),粘附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但(dan)當相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)30%時(shi)，又由于(yu)靜電(dian)力的(de)(de)(de)(de)(de)作用使粒子(zi)也容易(yi)吸(xi)附(fu)于(yu)表(biao)面，同時(shi)大(da)量(liang)半導體(ti)器件容易(yi)發生擊(ji)穿。對(dui)(dui)于(yu)硅片(pian)(pian)生產濕(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)范圍(wei)為(wei)35—45%。