潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以后(hou)還(huan)要(yao)列舉，但作為總的(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)于加(jia)工精度(du)(du)(du)(du)(du)越來(lai)越精細，所(suo)以對(dui)(dui)溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波(bo)動范圍(wei)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越來(lai)越小(xiao)。例(li)如在大(da)規模集成電路生(sheng)(sheng)產的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝(yi)中，作為掩膜板材(cai)料的(de)(de)(de)(de)玻(bo)璃與硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越來(lai)越小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就(jiu)引起了0.24um線性膨脹，所(suo)以必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)(wen)(wen)，同時(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一般較低(di)，因為人(ren)出汗以后(hou)，對(dui)(dui)產品將有污(wu)染，特別是(shi)怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間，這(zhe)種(zhong)車(che)間溫(wen)(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不宜超過(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)高產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)55%時(shi)，冷卻(que)水管壁上會結露，如果發生(sheng)(sheng)在精密(mi)裝(zhuang)置或電路中，就(jiu)會引起各種(zhong)事故(gu)。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在50%時(shi)易生(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)將通過(guo)空氣中的(de)(de)(de)(de)水分子把硅(gui)片(pian)表(biao)面粘(zhan)著的(de)(de)(de)(de)灰(hui)塵化(hua)學吸附(fu)在表(biao)面難以清除。相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越高,粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)越難去掉，但當相(xiang)(xiang)(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低(di)于30%時(shi)，又由(you)于靜(jing)電力的(de)(de)(de)(de)作用使(shi)粒子也容易吸附(fu)于表(biao)面，同時(shi)大(da)量半導體(ti)器件容易發生(sheng)(sheng)擊(ji)穿。對(dui)(dui)于硅(gui)片(pian)生(sheng)(sheng)產濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍(wei)為35—45%。