潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工(gong)藝對溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以(yi)后還要(yao)列舉，但(dan)作(zuo)為(wei)(wei)(wei)總的(de)(de)(de)原則(ze)看(kan)，由于(yu)加(jia)工(gong)精度(du)(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細(xi)，所(suo)以(yi)對溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)波(bo)動(dong)范(fan)(fan)圍的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。例如(ru)在大規模集成電路生(sheng)產的(de)(de)(de)光刻曝光工(gong)藝中(zhong)，作(zuo)為(wei)(wei)(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就引起(qi)了0.24um線性膨脹，所(suo)以(yi)必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)(wen)(wen)，同時(shi)(shi)(shi)要(yao)求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)值一(yi)般較低，因為(wei)(wei)(wei)人(ren)出(chu)汗以(yi)后，對產品將有污染，特別是怕鈉的(de)(de)(de)半導體車(che)間，這種車(che)間溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)不宜超過25度(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)過高(gao)產生(sheng)的(de)(de)(de)問(wen)題更多。相(xiang)(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)超過55%時(shi)(shi)(shi)，冷卻(que)水(shui)管壁上會(hui)(hui)結露，如(ru)果(guo)發生(sheng)在精密裝置或電路中(zhong)，就會(hui)(hui)引起(qi)各種事故。相(xiang)(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)(shi)易(yi)(yi)生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)(shi)將通過空氣(qi)中(zhong)的(de)(de)(de)水(shui)分子把硅(gui)片(pian)表面粘著的(de)(de)(de)灰塵(chen)化學吸(xi)(xi)附在表面難以(yi)清(qing)除。相(xiang)(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)越(yue)高(gao),粘附的(de)(de)(de)越(yue)難去(qu)掉，但(dan)當相(xiang)(xiang)對濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)(shi)，又由于(yu)靜電力的(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子也容易(yi)(yi)吸(xi)(xi)附于(yu)表面，同時(shi)(shi)(shi)大量半導體器件容易(yi)(yi)發生(sheng)擊穿。對于(yu)硅(gui)片(pian)生(sheng)產濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)范(fan)(fan)圍為(wei)(wei)(wei)35—45%。