潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對(dui)(dui)溫度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)以后(hou)還要列舉，但作為總的(de)(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)于加工精(jing)度(du)越(yue)來(lai)越(yue)精(jing)細，所(suo)以對(dui)(dui)溫度(du)波動范(fan)圍的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。例如在大(da)規(gui)模集成電路生(sheng)(sheng)產的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝(yi)中，作為掩膜(mo)板(ban)材料的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃與硅(gui)(gui)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)(de)(de)(de)差要求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)，溫度(du)上(shang)升1度(du)，就引起了(le)0.24um線性膨脹(zhang)，所(suo)以必須有(you)±0.1度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫，同(tong)時(shi)要求(qiu)濕度(du)值一般較低(di)，因為人出汗(han)以后(hou)，對(dui)(dui)產品(pin)將(jiang)有(you)污染，特別(bie)是怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車間，這種(zhong)車間溫度(du)不宜超過25度(du)，濕度(du)過高產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題更多。相(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)超過55%時(shi)，冷卻水管(guan)壁上(shang)會(hui)結(jie)露，如果(guo)發生(sheng)(sheng)在精(jing)密裝置(zhi)或電路中，就會(hui)引起各種(zhong)事故(gu)。相(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)在50%時(shi)易生(sheng)(sheng)銹(xiu)。此外(wai)，濕度(du)太高時(shi)將(jiang)通過空氣中的(de)(de)(de)(de)(de)水分子(zi)把硅(gui)(gui)片(pian)(pian)表(biao)面(mian)(mian)粘(zhan)著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵(chen)化(hua)學吸(xi)附(fu)在表(biao)面(mian)(mian)難(nan)以清(qing)除。相(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)越(yue)高,粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)濕度(du)低(di)于30%時(shi)，又由(you)于靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)使(shi)粒(li)子(zi)也容(rong)易吸(xi)附(fu)于表(biao)面(mian)(mian)，同(tong)時(shi)大(da)量半導體(ti)器件(jian)容(rong)易發生(sheng)(sheng)擊(ji)穿。對(dui)(dui)于硅(gui)(gui)片(pian)(pian)生(sheng)(sheng)產濕度(du)范(fan)圍為35—45%。