潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求以(yi)后還要(yao)(yao)列舉，但作為(wei)(wei)總的(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)于加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)來越(yue)精(jing)細，所以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波(bo)動范圍的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求越(yue)來越(yue)小。例如在大規模集成電(dian)路生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)光(guang)刻(ke)曝光(guang)工藝中(zhong)，作為(wei)(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)玻璃與硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)差要(yao)(yao)求越(yue)來越(yue)小。直徑(jing)100 um的(de)(de)(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就引起(qi)了(le)0.24um線性膨(peng)脹，所以(yi)必(bi)須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)(shi)要(yao)(yao)求濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值(zhi)一般較(jiao)低(di)(di)，因為(wei)(wei)人出(chu)汗以(yi)后，對(dui)(dui)產(chan)品將有污染，特別是(shi)怕鈉(na)的(de)(de)(de)(de)半導體車間(jian)(jian)，這(zhe)種車間(jian)(jian)溫(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不宜超過(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)高產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)問題更多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水(shui)管壁上會結露，如果發生(sheng)在精(jing)密(mi)裝置(zhi)或電(dian)路中(zhong)，就會引起(qi)各種事(shi)故。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)(shi)將通過(guo)空(kong)氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)水(shui)分子把硅片(pian)(pian)表(biao)(biao)面粘(zhan)著(zhu)的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附在表(biao)(biao)面難(nan)以(yi)清除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)高,粘(zhan)附的(de)(de)(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但當相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低(di)(di)于30%時(shi)(shi)，又(you)由(you)于靜電(dian)力的(de)(de)(de)(de)作用使粒子也容易吸附于表(biao)(biao)面，同(tong)時(shi)(shi)大量半導體器件容易發生(sheng)擊穿(chuan)。對(dui)(dui)于硅片(pian)(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)(wei)35—45%。