潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝(yi)對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)要求(qiu)以(yi)后還要列舉，但(dan)作(zuo)(zuo)為(wei)總的(de)(de)原則看，由于(yu)加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)精(jing)細，所以(yi)對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動范圍的(de)(de)要求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小(xiao)。例如在大(da)規模集成(cheng)電路(lu)生(sheng)產的(de)(de)光刻曝(pu)光工藝(yi)中，作(zuo)(zuo)為(wei)掩膜板材料的(de)(de)玻璃與(yu)硅(gui)片(pian)(pian)的(de)(de)熱膨(peng)脹系數的(de)(de)差要求(qiu)越(yue)(yue)(yue)來越(yue)(yue)(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)硅(gui)片(pian)(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就引起了(le)0.24um線性膨(peng)脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)時(shi)(shi)要求(qiu)濕度(du)(du)(du)(du)(du)值(zhi)一(yi)般較低，因為(wei)人出汗以(yi)后，對(dui)產品將有污染，特別是怕鈉的(de)(de)半導體車間，這(zhe)種車間溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不(bu)宜超過(guo)(guo)25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕度(du)(du)(du)(du)(du)過(guo)(guo)高(gao)產生(sheng)的(de)(de)問題(ti)更多(duo)。相(xiang)(xiang)對(dui)濕度(du)(du)(du)(du)(du)超過(guo)(guo)55%時(shi)(shi)，冷(leng)卻(que)水管(guan)壁上會(hui)結(jie)露，如果發(fa)生(sheng)在精(jing)密裝(zhuang)置或電路(lu)中，就會(hui)引起各種事故。相(xiang)(xiang)對(dui)濕度(du)(du)(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)易(yi)(yi)生(sheng)銹。此外(wai)，濕度(du)(du)(du)(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通(tong)過(guo)(guo)空氣中的(de)(de)水分子把硅(gui)片(pian)(pian)表(biao)(biao)面粘(zhan)著的(de)(de)灰(hui)塵化學吸(xi)附在表(biao)(biao)面難(nan)以(yi)清除。相(xiang)(xiang)對(dui)濕度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高(gao),粘(zhan)附的(de)(de)越(yue)(yue)(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相(xiang)(xiang)對(dui)濕度(du)(du)(du)(du)(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)，又由于(yu)靜電力(li)的(de)(de)作(zuo)(zuo)用(yong)使粒子也容易(yi)(yi)吸(xi)附于(yu)表(biao)(biao)面，同(tong)時(shi)(shi)大(da)量半導體器件容易(yi)(yi)發(fa)生(sheng)擊(ji)穿。對(dui)于(yu)硅(gui)片(pian)(pian)生(sheng)產濕度(du)(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)35—45%。