潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工藝(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)要求以(yi)后還要列舉，但作為總(zong)的(de)(de)原則看，由于(yu)加工精度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)精細，所以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)(du)(du)波動(dong)范圍(wei)的(de)(de)要求越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)小(xiao)。例如在(zai)大規模集(ji)成電(dian)路(lu)生(sheng)(sheng)(sheng)產的(de)(de)光(guang)刻(ke)曝光(guang)工藝(yi)中(zhong)，作為掩膜(mo)板(ban)材料的(de)(de)玻璃與(yu)硅(gui)片(pian)的(de)(de)熱(re)膨(peng)(peng)脹系數的(de)(de)差要求越(yue)(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)(yue)小(xiao)。直(zhi)徑(jing)100 um的(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就(jiu)引(yin)起(qi)(qi)了0.24um線性(xing)膨(peng)(peng)脹，所以(yi)必須有±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)(shi)要求濕(shi)度(du)(du)(du)值(zhi)一般較低(di)，因為人出汗以(yi)后，對(dui)(dui)產品將(jiang)有污染，特別(bie)是怕鈉的(de)(de)半導體(ti)車間(jian)，這種車間(jian)溫(wen)度(du)(du)(du)不宜超過(guo)(guo)25度(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)過(guo)(guo)高(gao)產生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)問(wen)題更(geng)多(duo)。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)超過(guo)(guo)55%時(shi)(shi)，冷卻水管壁上會(hui)結露，如果發生(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)精密裝(zhuang)置或(huo)電(dian)路(lu)中(zhong)，就(jiu)會(hui)引(yin)起(qi)(qi)各種事故。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易(yi)生(sheng)(sheng)(sheng)銹。此外，濕(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)將(jiang)通過(guo)(guo)空氣(qi)中(zhong)的(de)(de)水分(fen)子(zi)把硅(gui)片(pian)表(biao)面粘著的(de)(de)灰塵(chen)化學吸(xi)附在(zai)表(biao)面難以(yi)清除。相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)越(yue)(yue)(yue)高(gao),粘附的(de)(de)越(yue)(yue)(yue)難去掉，但當(dang)相(xiang)對(dui)(dui)濕(shi)度(du)(du)(du)低(di)于(yu)30%時(shi)(shi)，又由于(yu)靜電(dian)力的(de)(de)作用(yong)使(shi)粒子(zi)也容易(yi)吸(xi)附于(yu)表(biao)面，同時(shi)(shi)大量半導體(ti)器件容易(yi)發生(sheng)(sheng)(sheng)擊穿(chuan)。對(dui)(dui)于(yu)硅(gui)片(pian)生(sheng)(sheng)(sheng)產濕(shi)度(du)(du)(du)范圍(wei)為35—45%。