潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工(gong)藝(yi)(yi)對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)要(yao)求以(yi)后還要(yao)列舉，但(dan)(dan)作為總(zong)的(de)原則看，由于(yu)(yu)(yu)加(jia)工(gong)精度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精細，所(suo)(suo)以(yi)對(dui)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)波動(dong)范圍的(de)要(yao)求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。例如(ru)在(zai)大(da)規模集成電路生(sheng)產(chan)的(de)光刻(ke)曝光工(gong)藝(yi)(yi)中(zhong)，作為掩(yan)膜板材料(liao)的(de)玻璃與(yu)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)的(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)差要(yao)求越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小。直(zhi)徑100 um的(de)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)，溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)(du)，就引起了0.24um線性膨脹(zhang)，所(suo)(suo)以(yi)必須有(you)±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)的(de)恒溫(wen)(wen)，同(tong)(tong)時要(yao)求濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)值一般較低，因為人出汗以(yi)后，對(dui)產(chan)品將有(you)污染，特別(bie)是怕(pa)鈉的(de)半導體車(che)間(jian)，這(zhe)種車(che)間(jian)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)(du)(du)不(bu)宜超過25度(du)(du)(du)(du)(du)，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)過高(gao)(gao)(gao)產(chan)生(sheng)的(de)問題更(geng)多(duo)。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)超過55%時，冷(leng)卻水管壁上會(hui)(hui)結露，如(ru)果發(fa)生(sheng)在(zai)精密(mi)裝置或(huo)電路中(zhong)，就會(hui)(hui)引起各種事故。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時易(yi)生(sheng)銹。此外，濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)太高(gao)(gao)(gao)時將通過空氣(qi)中(zhong)的(de)水分(fen)子把硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面粘著的(de)灰(hui)塵化學吸附(fu)在(zai)表面難(nan)(nan)以(yi)清除。相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高(gao)(gao)(gao),粘附(fu)的(de)越(yue)(yue)難(nan)(nan)去掉，但(dan)(dan)當(dang)相(xiang)對(dui)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)低于(yu)(yu)(yu)30%時，又由于(yu)(yu)(yu)靜(jing)電力的(de)作用使粒子也容易(yi)吸附(fu)于(yu)(yu)(yu)表面，同(tong)(tong)時大(da)量半導體器件容易(yi)發(fa)生(sheng)擊穿。對(dui)于(yu)(yu)(yu)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)范圍為35—45%。