潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體工藝對(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)以(yi)后還(huan)要(yao)(yao)列舉(ju)，但作為(wei)總(zong)的(de)(de)原則(ze)看，由于(yu)(yu)加工精度(du)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)精細，所以(yi)對(dui)(dui)(dui)溫(wen)度(du)波動范圍(wei)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小(xiao)。例如在大(da)規模集成電(dian)路生(sheng)產的(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中(zhong)，作為(wei)掩(yan)膜(mo)板材料的(de)(de)玻璃(li)與硅片(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系(xi)數的(de)(de)差(cha)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來(lai)越(yue)(yue)小(xiao)。直徑(jing)100 um的(de)(de)硅片(pian)，溫(wen)度(du)上升1度(du)，就引(yin)起了(le)0.24um線性膨脹(zhang)，所以(yi)必須(xu)有±0.1度(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同時要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)濕度(du)值一般較低，因為(wei)人(ren)出(chu)汗以(yi)后，對(dui)(dui)(dui)產品將有污染，特別(bie)是怕鈉(na)的(de)(de)半導體車(che)間，這種(zhong)(zhong)車(che)間溫(wen)度(du)不(bu)宜超過25度(du)，濕度(du)過高產生(sheng)的(de)(de)問(wen)題(ti)更多。相對(dui)(dui)(dui)濕度(du)超過55%時，冷卻(que)水管壁上會(hui)結露，如果發(fa)生(sheng)在精密裝置(zhi)或電(dian)路中(zhong)，就會(hui)引(yin)起各(ge)種(zhong)(zhong)事故(gu)。相對(dui)(dui)(dui)濕度(du)在50%時易生(sheng)銹。此外，濕度(du)太高時將通過空(kong)氣中(zhong)的(de)(de)水分(fen)子(zi)把硅片(pian)表(biao)面(mian)粘(zhan)著(zhu)的(de)(de)灰(hui)塵化學吸附在表(biao)面(mian)難以(yi)清除(chu)。相對(dui)(dui)(dui)濕度(du)越(yue)(yue)高,粘(zhan)附的(de)(de)越(yue)(yue)難去掉，但當相對(dui)(dui)(dui)濕度(du)低于(yu)(yu)30%時，又由于(yu)(yu)靜電(dian)力的(de)(de)作用(yong)使粒子(zi)也容(rong)易吸附于(yu)(yu)表(biao)面(mian)，同時大(da)量(liang)半導體器件容(rong)易發(fa)生(sheng)擊穿。對(dui)(dui)(dui)于(yu)(yu)硅片(pian)生(sheng)產濕度(du)范圍(wei)為(wei)35—45%。