潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)(ti)工藝對溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)的(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)以(yi)后還(huan)要(yao)列舉，但(dan)作(zuo)為總的(de)(de)原則看，由于(yu)加工精(jing)(jing)度(du)(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精(jing)(jing)細(xi)，所(suo)以(yi)對溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)波動(dong)范(fan)圍(wei)的(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。例如(ru)在大規模(mo)集成電路生(sheng)產(chan)的(de)(de)光刻曝光工藝中(zhong)，作(zuo)為掩(yan)膜板材(cai)料的(de)(de)玻璃與硅片(pian)(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要(yao)求(qiu)(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)，就(jiu)引(yin)起(qi)了0.24um線性膨脹(zhang)，所(suo)以(yi)必須(xu)有(you)±0.1度(du)(du)(du)的(de)(de)恒(heng)溫(wen)(wen)(wen)，同時(shi)(shi)(shi)(shi)要(yao)求(qiu)(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)值一般較低，因(yin)為人出汗(han)以(yi)后，對產(chan)品將(jiang)有(you)污染，特別是怕鈉的(de)(de)半導體(ti)(ti)車間(jian)，這種車間(jian)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)不宜超(chao)過25度(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)過高(gao)產(chan)生(sheng)的(de)(de)問題更多。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)超(chao)過55%時(shi)(shi)(shi)(shi)，冷卻水管壁(bi)上會結露，如(ru)果(guo)發(fa)(fa)生(sheng)在精(jing)(jing)密裝置或電路中(zhong)，就(jiu)會引(yin)起(qi)各種事故。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)在50%時(shi)(shi)(shi)(shi)易生(sheng)銹。此外(wai)，濕(shi)度(du)(du)(du)太高(gao)時(shi)(shi)(shi)(shi)將(jiang)通過空(kong)氣(qi)中(zhong)的(de)(de)水分子(zi)(zi)把硅片(pian)(pian)表(biao)(biao)面粘(zhan)著(zhu)的(de)(de)灰(hui)塵化學(xue)吸附(fu)在表(biao)(biao)面難(nan)以(yi)清除。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)越(yue)高(gao),粘(zhan)附(fu)的(de)(de)越(yue)難(nan)去掉，但(dan)當相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)低于(yu)30%時(shi)(shi)(shi)(shi)，又由于(yu)靜電力的(de)(de)作(zuo)用使粒子(zi)(zi)也容(rong)(rong)易吸附(fu)于(yu)表(biao)(biao)面，同時(shi)(shi)(shi)(shi)大量半導體(ti)(ti)器件容(rong)(rong)易發(fa)(fa)生(sheng)擊穿。對于(yu)硅片(pian)(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)范(fan)圍(wei)為35—45%。