潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體工(gong)藝對(dui)(dui)溫(wen)度(du)的(de)(de)(de)要求(qiu)以(yi)后還要列舉(ju)，但作(zuo)為總的(de)(de)(de)原則看(kan)，由(you)于加工(gong)精(jing)度(du)越(yue)來越(yue)精(jing)細，所(suo)以(yi)對(dui)(dui)溫(wen)度(du)波動范圍的(de)(de)(de)要求(qiu)越(yue)來越(yue)小(xiao)。例如在大(da)規模(mo)集(ji)成電(dian)路生產(chan)的(de)(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工(gong)藝中(zhong)，作(zuo)為掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)玻(bo)璃與(yu)硅片的(de)(de)(de)熱膨脹系數的(de)(de)(de)差要求(qiu)越(yue)來越(yue)小(xiao)。直徑100 um的(de)(de)(de)硅片，溫(wen)度(du)上升(sheng)1度(du)，就引起(qi)了0.24um線(xian)性膨脹，所(suo)以(yi)必須(xu)有(you)±0.1度(du)的(de)(de)(de)恒溫(wen)，同(tong)時(shi)要求(qiu)濕(shi)(shi)度(du)值一般較(jiao)低(di)，因為人出(chu)汗以(yi)后，對(dui)(dui)產(chan)品將有(you)污染，特(te)別是怕(pa)鈉的(de)(de)(de)半導體車間，這(zhe)種車間溫(wen)度(du)不(bu)宜超過(guo)25度(du)，濕(shi)(shi)度(du)過(guo)高(gao)(gao)產(chan)生的(de)(de)(de)問(wen)題更多。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)超過(guo)55%時(shi)，冷卻(que)水(shui)(shui)管(guan)壁上會結露，如果(guo)發生在精(jing)密裝置或電(dian)路中(zhong)，就會引起(qi)各種事故。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)在50%時(shi)易(yi)生銹(xiu)。此(ci)外，濕(shi)(shi)度(du)太高(gao)(gao)時(shi)將通過(guo)空氣中(zhong)的(de)(de)(de)水(shui)(shui)分子(zi)把硅片表(biao)面(mian)粘著的(de)(de)(de)灰塵化學吸附在表(biao)面(mian)難以(yi)清除。相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)越(yue)高(gao)(gao),粘附的(de)(de)(de)越(yue)難去掉，但當相對(dui)(dui)濕(shi)(shi)度(du)低(di)于30%時(shi)，又由(you)于靜電(dian)力的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)使粒子(zi)也容(rong)易(yi)吸附于表(biao)面(mian)，同(tong)時(shi)大(da)量半導體器件容(rong)易(yi)發生擊穿。對(dui)(dui)于硅片生產(chan)濕(shi)(shi)度(du)范圍為35—45%。