潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具體(ti)工(gong)藝對溫度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)以(yi)(yi)后還要(yao)列舉(ju)，但作(zuo)為(wei)總(zong)的(de)(de)(de)(de)原則看，由(you)于加(jia)工(gong)精度(du)(du)(du)(du)越(yue)來(lai)越(yue)精細，所以(yi)(yi)對溫度(du)(du)(du)(du)波動范圍的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。例如在大(da)規模集成(cheng)電(dian)路(lu)生產(chan)的(de)(de)(de)(de)光刻曝光工(gong)藝中，作(zuo)為(wei)掩膜板材料的(de)(de)(de)(de)玻璃與(yu)硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)熱(re)膨脹系數的(de)(de)(de)(de)差要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)硅片(pian)(pian)，溫度(du)(du)(du)(du)上升1度(du)(du)(du)(du)，就引(yin)(yin)起了0.24um線性膨脹，所以(yi)(yi)必須有(you)±0.1度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)恒溫，同(tong)時要(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)值一般(ban)較低，因為(wei)人(ren)出汗以(yi)(yi)后，對產(chan)品將有(you)污染，特別(bie)是怕鈉的(de)(de)(de)(de)半導體(ti)車(che)間(jian)，這種車(che)間(jian)溫度(du)(du)(du)(du)不宜超過(guo)25度(du)(du)(du)(du)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)過(guo)高(gao)(gao)產(chan)生的(de)(de)(de)(de)問題更多(duo)。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)超過(guo)55%時，冷卻(que)水(shui)(shui)管(guan)壁上會結露，如果(guo)發生在精密(mi)裝置(zhi)或電(dian)路(lu)中，就會引(yin)(yin)起各種事故。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)在50%時易(yi)(yi)(yi)生銹。此外(wai)，濕(shi)度(du)(du)(du)(du)太高(gao)(gao)時將通(tong)過(guo)空(kong)氣中的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)分子(zi)把硅片(pian)(pian)表(biao)面粘著的(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附在表(biao)面難以(yi)(yi)清(qing)除。相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)高(gao)(gao),粘附的(de)(de)(de)(de)越(yue)難去(qu)掉，但當相(xiang)對濕(shi)度(du)(du)(du)(du)低于30%時，又由(you)于靜電(dian)力(li)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用使粒子(zi)也容(rong)易(yi)(yi)(yi)吸附于表(biao)面，同(tong)時大(da)量(liang)半導體(ti)器件容(rong)易(yi)(yi)(yi)發生擊穿。對于硅片(pian)(pian)生產(chan)濕(shi)度(du)(du)(du)(du)范圍為(wei)35—45%。