潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。凈化工程設計施工具(ju)體(ti)(ti)工藝對溫(wen)度(du)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)以(yi)(yi)后還(huan)要(yao)(yao)列舉，但(dan)作為(wei)總的(de)(de)原則看，由于(yu)加工精(jing)度(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精(jing)細，所以(yi)(yi)對溫(wen)度(du)波(bo)動(dong)范圍的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例(li)如在(zai)大規模集成電路生(sheng)產(chan)的(de)(de)光(guang)刻曝光(guang)工藝中，作為(wei)掩(yan)膜板材料的(de)(de)玻璃與硅(gui)片(pian)的(de)(de)熱膨脹(zhang)系數的(de)(de)差要(yao)(yao)求(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)硅(gui)片(pian)，溫(wen)度(du)上升1度(du)，就引(yin)起(qi)了0.24um線性膨脹(zhang)，所以(yi)(yi)必須有(you)±0.1度(du)的(de)(de)恒溫(wen)，同時(shi)(shi)要(yao)(yao)求(qiu)濕(shi)度(du)值一(yi)般較低(di)，因為(wei)人出汗以(yi)(yi)后，對產(chan)品將有(you)污染，特別是怕鈉(na)的(de)(de)半(ban)導體(ti)(ti)車(che)間(jian)，這種車(che)間(jian)溫(wen)度(du)不宜超過25度(du)，濕(shi)度(du)過高(gao)產(chan)生(sheng)的(de)(de)問題更多(duo)。相對濕(shi)度(du)超過55%時(shi)(shi)，冷卻水(shui)管壁上會結露，如果(guo)發(fa)生(sheng)在(zai)精(jing)密(mi)裝(zhuang)置或(huo)電路中，就會引(yin)起(qi)各種事故。相對濕(shi)度(du)在(zai)50%時(shi)(shi)易生(sheng)銹。此(ci)外，濕(shi)度(du)太高(gao)時(shi)(shi)將通過空(kong)氣中的(de)(de)水(shui)分子(zi)把硅(gui)片(pian)表面(mian)粘著的(de)(de)灰塵化(hua)學吸附(fu)在(zai)表面(mian)難以(yi)(yi)清(qing)除。相對濕(shi)度(du)越(yue)(yue)高(gao),粘附(fu)的(de)(de)越(yue)(yue)難去掉(diao)，但(dan)當(dang)相對濕(shi)度(du)低(di)于(yu)30%時(shi)(shi)，又由于(yu)靜電力的(de)(de)作用使粒(li)子(zi)也(ye)容易吸附(fu)于(yu)表面(mian)，同時(shi)(shi)大量半(ban)導體(ti)(ti)器件容易發(fa)生(sheng)擊穿。對于(yu)硅(gui)片(pian)生(sheng)產(chan)濕(shi)度(du)范圍為(wei)35—45%。